檢測項目

檢測項目 



飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜分析（TOF-SIMS）

1. 飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜技術(shù)飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜技術(shù)（Time of Flight Secondary Ion Mass Spectrometry，TOF-SIMS）是一種非常靈敏的表面分析技術(shù)，通

所屬分類(lèi)

成分分析



產(chǎn)品描述

1. 飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜技術(shù)

飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜技術(shù)（Time of Flight Secondary Ion Mass Spectrometry，TOF-SIMS）是一種非常靈敏的表面分析技術(shù)，通過(guò)用一次離子激發(fā)樣品表面，打出極其微量的二次離子，根據二次離子因不同的質(zhì)量而飛行到探測器的時(shí)間不同來(lái)測定離子質(zhì)量，具有極高分辨率的測量技術(shù)?？梢詮V泛應用于物理，化學(xué)，微電子，生物，制藥，空間分析等工業(yè)和研究方面。TOF-SIMS可以提供表面，薄膜，界面以至于三維樣品的元素、分子等結構信息，其特點(diǎn)在二次離子來(lái)自表面單個(gè)原子層分子層（1nm以?xún)龋?，僅帶出表面的化學(xué)信息，具有分析區域小、分析深度淺和不破壞樣品的特點(diǎn)，廣泛應用于物理，化學(xué)，微電子，生物，制藥，空間分析等工業(yè)和研究方面。

2. 飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜分析（TOF-SIMS）可為客戶(hù)解決的產(chǎn)品質(zhì)量問(wèn)題

（1）當產(chǎn)品表面存在微小的異物，而常規的成分測試方法無(wú)法準確對異物進(jìn)行定性定量分析，可選擇TOF-SIMS進(jìn)行分析，TOF-SIMS能分析10&nm直徑的異物成分。

（2）當產(chǎn)品表面膜層太薄，無(wú)法使用常規測試進(jìn)行成分分析，可選擇TOF-SIMS進(jìn)行分析，利用TOF-SIMS可定性分析膜層的成分。

（3）當產(chǎn)品表面出現異物，但是未能確定異物的種類(lèi)，利用TOF-SIMS成分分析，不僅可以分析出異物所含元素，還可以分析出異物的分子式，包括有機物分子式。

（4）當膜層與基材截面出現分層等問(wèn)題，但是未能觀(guān)察到明顯的異物痕跡，可使用TOF-SIMS分析表面痕量物質(zhì)成分，以確定截面是否存在外來(lái)污染，檢出限高達ppm級別。

3. 飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜分析（TOF-SIMS）注意事項

（1）樣品最大規格尺寸為1cm,1cm,0.5cm，當樣品尺寸過(guò)大需切割取樣。

（2）取樣的時(shí)候避免手和取樣工具接觸到需要測試的位置，取下樣品后使用真空包裝或其他能隔離外界環(huán)境的包裝，避免外來(lái)污染影響分析結果。

（3）TOF-SIMS測試的樣品不受導電性的限制，絕緣的樣品也可以測試。

（4）TOF-SIMS元素分析范圍H-U，包含有機無(wú)機材料的元素及分子態(tài)，檢出限ppm級別。

4.應用實(shí)例

樣品信息：銅箔表面覆蓋有機物鈍化膜，達到保護銅箔目的，客戶(hù)端需要分析分析苯并咪唑與銅表面結合方式。